国際電子通信技術ジャーナル(IJECT)アーカイブ - TechRepublic

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    低消費電力8T SRAMの比較分析

    SRAMセルは、サブミクロン/ナノメートル領域での動作要件を満たす必要があります。CMOS技術のスケーリングは、SRAMセルに大きな影響を与えます。具体的には、電気特性のランダム変動と大きなリーク電流が挙げられます。本稿では、ダイナミックカラムベース電源8T SRAMセルを紹介し、提案するSRAMセルと従来のSRAMセルを比較します。

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    本稿では、マイクロコントローラベースの組み込みシステムを用いて、交通管理システム全体と監視デバイス間のインターフェースを実装するシンプルな方法を提示する。通常、交通システムには監視デバイスは不要である。しかし、高度な交通管理システムの場合、組み込みシステムを介して制御ステーションに接続される。…

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    現代のデジタルシステムでは、大容量とデータ転送速度が求められています。同期DRAM(SDRAM)は、その高速性、バーストアクセス、パイプライン機能により、メモリとして最適な選択肢となっています。SDRAMの初期化、読み出し/書き込みアクセス、メモリリフレッシュのための適切なコマンドを提供するコントローラが必要です。本稿では、合成可能なSDRAMコントローラの設計について説明します。

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